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（Magnetic Random Access Memory）是一種非揮發性的磁性隨機存儲器，所謂“非揮發性”是指關掉電源後，仍可以保持記憶完整，功能與FLASH雷同；而“隨機存取”是指中央處理器讀取資料時，不一定要從頭開始，隨時可用相同的速率，從內存的任何部位讀寫信息。 MRAM運作的基本原理與硬盤驅動器相同。和在硬盤上存儲數據一樣，數據以磁性的方向為依據，存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性，直到被外界的磁場影響之後，才會改變這個磁性數據。它的速度與我們PC所使用的內存相比更接近使用GMR技術的，一般都有25至100n s，它擁有靜態隨機存儲器（Static Random Access Memory， SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重複寫入。
MRAM是在 80年代初首次提出的。在1994年，美國Honeywe ll公司研發了一種使用巨磁阻（Giant Magneto Resistive， GMR）薄膜技術的MRAM，並投入了生產。不過，由於它的讀取寫入時間過長並且集成度低，所以應用只局限於太空和軍事領域。近年來， MRAM再度發展起來，並以取代DRAM裝置為目標。與現有的快閃內存（FLASH）、靜態隨機存取內存（SRAM）、動態隨機存取內存（DRAM）相比， MRAM性能都是非常優秀的。
根據美國專業半導體研究機構EDN分析，如將MRAM與DRAM、 SRAM、 FLASH等內存做比較，在“非揮發性”特色上，目前僅有MRAM及FLASH具此功能；而在“隨機存取”功能上，則FLASH欠缺此項功能，僅MRAM、DRAM、SRAM具備隨機存取優點。
就“讀取速度”而言， MRAM及SRAM的速度最快，同為25～100n s，不過， MRAM仍比SRAM快； DRAM則為50～100n s，屬於中級速度；相較之下， FLASH的速度最慢。
在寫入次數上， MRAM、 DRAM以及SRAM則都屬同一等級，約可寫入無限次的記憶，而FLASH則只約可寫入106次。至於“芯片面積”的比較， MRAM與FLASH同屬小規格的芯片，所佔空間最小； DRAM的芯片面積則是屬於中等規格，SRAM更是屬於大面積規格的芯片，其所佔的空間最大。
在嵌入式設計規格方面，DRAM、SRAM、FLASH同屬良率低、須增加芯片面積設計規格；而MRAM則是擁有性能高、不須增加芯片面積的特殊設計。
最後在耗電量相比較，只有MRAM以及SRAM擁有低耗電的優點， FLASH則是屬於中級的耗電需求，至於DRAM更是具有高耗電量的缺點。
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